La aplicación de nuevas tecnologías y nuevos productos como 5G, big data e inteligencia artificial generará una enorme demanda en el mercado de semiconductores, y el gasto mundial en equipos de semiconductores ha entrado en un ciclo ascendente.

En los últimos años, ha habido un interés creciente en la medición de muestras biológicas de alta presión. Esto se refleja en el desarrollo de nuevas técnicas de medición de presión diferentes a las implementadas por DAC. Una de ellas es la técnica de congelar cristales bajo presión.

XRD de alta resolución (HR-XRD) es un método común para medir la composición y el espesor de semiconductores compuestos como SiGe, AlGaAs, InGaAs, etc.

El difractómetro de rayos X (DRX) se puede dividir en difractómetro de polvo de rayos X y difractómetro de cristal único de rayos X; el principio físico básico de los dos es el mismo.

XRD es un medio de investigación que consiste en la difracción mediante difracción de rayos X de un material para analizar su patrón de difracción para obtener información como la composición del material, la estructura o forma de los átomos o moléculas dentro del material.

La difracción de rayos X de incidencia rasante (GI-XRD) es un tipo de técnica de difracción de rayos X, que se diferencia del experimento XRD tradicional, principalmente porque cambia el ángulo de incidencia de los rayos X y la orientación de la muestra.

Es necesario reducir la tensión residual dañina y predecir la tendencia de distribución y el valor de la tensión residual. En este artículo se presenta el método de prueba no destructivo de prueba de tensión residual.

La difracción de rayos X (XRD) es actualmente un método poderoso para estudiar la estructura cristalina (como el tipo y la distribución de ubicación de átomos o iones y sus grupos, la forma y el tamaño de las células, etc.).

La cristalografía de rayos X es una técnica utilizada para determinar la estructura atómica y molecular de un cristal, donde la estructura cristalina hace que el haz de rayos X incidente se difracte en muchas direcciones específicas.

Basado en la Ley de Bragg, la difracción de rayos X (DRX) in situ se puede utilizar para monitorear el cambio de fase y sus parámetros reticulares en el electrodo o en la interfaz electrodo-electrolito en tiempo real durante el ciclo de carga-descarga de un batería.

A continuación se comparten tres detectores de un solo punto: contador proporcional, contador de centelleo y detector de estado sólido semiconductor.