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El difractómetro de rayos X (DRX) mundial se ha desarrollado de manera constante en los últimos años y China es un mercado con grandes perspectivas de desarrollo.
Tomando como ejemplo el escalamiento de la deposición, este artículo presenta cómo utilizar el difractómetro de rayos X para el análisis cuantitativo y de fase cualitativa.
La aplicación de nuevas tecnologías y nuevos productos como 5G, big data e inteligencia artificial generará una enorme demanda en el mercado de semiconductores, y el gasto mundial en equipos de semiconductores ha entrado en un ciclo ascendente.
La anterior introducción detallada y completa del servicio de preventa, venta y posventa de la empresa, hoy se presenta el contenido relacionado con la capacitación sobre productos de nuestra empresa.
En los últimos años, ha habido un interés creciente en la medición de muestras biológicas de alta presión. Esto se refleja en el desarrollo de nuevas técnicas de medición de presión diferentes a las implementadas por DAC. Una de ellas es la técnica de congelar cristales bajo presión.
XRD de alta resolución (HR-XRD) es un método común para medir la composición y el espesor de semiconductores compuestos como SiGe, AlGaAs, InGaAs, etc.
El difractómetro de rayos X (DRX) se puede dividir en difractómetro de polvo de rayos X y difractómetro de cristal único de rayos X; el principio físico básico de los dos es el mismo.
La fluorescencia de rayos X de reflexión total (TXRF) es una técnica de análisis de elementos superficiales comúnmente utilizada para analizar partículas, residuos e impurezas en superficies lisas.
XRD es un medio de investigación que consiste en la difracción mediante difracción de rayos X de un material para analizar su patrón de difracción para obtener información como la composición del material, la estructura o forma de los átomos o moléculas dentro del material.
La difracción de rayos X de incidencia rasante (GI-XRD) es un tipo de técnica de difracción de rayos X, que se diferencia del experimento XRD tradicional, principalmente porque cambia el ángulo de incidencia de los rayos X y la orientación de la muestra.